CSD23203WT, MOSFET CSD23203W 8V P-Ch NexFET Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
830 ֏
от 10 шт. —
690 ֏
от 100 шт. —
489 ֏
от 250 шт. —
470 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 830 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор CSD23203W 8V P-Ch NexFET Power МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Qg - заряд затвора | 4.9 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 53 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 8 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 12 ns |
| Время спада | 27 ns |
| Высота | 0.625 mm |
| Длина | 1.5 mm |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 250 |
| Серия | CSD23203W |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 58 ns |
| Типичное время задержки при включении | 14 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | DSBGA-6 |
| Ширина | 1 mm |
| Base Product Number | CSD23203 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 914pF @ 4V |
| Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 6-UFBGA, DSBGA |
| Power Dissipation (Max) | 750mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.4mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | NexFETв„ў -> |
| Supplier Device Package | 6-DSBGA |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250ВµA |
| Вес, г | 0.0017 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 975 КБ
