CSD23285F5T, MOSFET -12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 35 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
![CSD23285F5T, MOSFET -12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 35 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150](https://static.chipdip.ru/lib/552/DOC006552738.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 240 ֏
от 10 шт. —
930 ֏
от 100 шт. —
700 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 240 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор 12V P-Channel FemtoFET МОП-транзистор 3-PICOSTAR -55 to 150
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 3.3 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.4 W |
Qg - заряд затвора | 4.2 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 80 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 950 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 5 ns |
Время спада | 13 ns |
Высота | 0.35 mm |
Длина | 1.53 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | PicoStar |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8.9 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 250 |
Серия | CSD23285F5 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Типичное время задержки выключения | 30 ns |
Типичное время задержки при включении | 15 ns |
Торговая марка | Texas Instruments |
Упаковка / блок | PICOSTAR-3 |
Ширина | 0.77 mm |
Base Product Number | CSD23285 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5.4A (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.2nC @ 4.5V |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 628pF @ 6V |
Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | 3-SMD, No Lead |
Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 1A, 4.5V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | FemtoFETв„ў -> |
Supplier Device Package | 3-PICOSTAR |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | -6V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250ВµA |
Continuous Drain Current (Id) | 5.4A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@1A, 4.5V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 12V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 950mV@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 628pF@6V |
Power Dissipation (Pd) | 500mW |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4.2nC@4.5V |
Type | P Channel |
Вес, г | 2 |