CSD23285F5T, MOSFET -12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 35 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150

CSD23285F5T, MOSFET -12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.8 mm x 1.5 mm, 35 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 240 ֏
от 10 шт.930 ֏
от 100 шт.700 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 240 ֏
Номенклатурный номер: 8004997295
Бренд: Texas Instruments

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор 12V P-Channel FemtoFET МОП-транзистор 3-PICOSTAR -55 to 150

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 3.3 A
Pd - рассеивание мощности 1.4 W
Qg - заряд затвора 4.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 80 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 12 V
Vgs - напряжение затвор-исток 6 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 950 mV
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 5 ns
Время спада 13 ns
Высота 0.35 mm
Длина 1.53 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение PicoStar
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 8.9 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора P-Channel
Размер фабричной упаковки 250
Серия CSD23285F5
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения 30 ns
Типичное время задержки при включении 15 ns
Торговая марка Texas Instruments
Упаковка / блок PICOSTAR-3
Ширина 0.77 mm
Base Product Number CSD23285 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 5.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
ECCN EAR99
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V
HTSUS 8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 628pF @ 6V
Manufacturer Product Page http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case 3-SMD, No Lead
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 1A, 4.5V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series FemtoFETв„ў ->
Supplier Device Package 3-PICOSTAR
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) -6V
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250ВµA
Continuous Drain Current (Id) 5.4A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 35mΩ@1A, 4.5V
Drain Source Voltage (Vdss) 12V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 950mV@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds) 628pF@6V
Power Dissipation (Pd) 500mW
Total Gate Charge (Qg@Vgs) 4.2nC@4.5V
Type P Channel
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1194 КБ
Datasheet
pdf, 1882 КБ