CSD25202W15, MOSFET 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

710 ֏

от 10 шт. — 620 ֏

от 100 шт. — 407 ֏

от 500 шт. — 329 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 710 ֏

Номенклатурный номер: 8004997298

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор 20V P-channel NexFET Pwr МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	4 A
Pd - рассеивание мощности	500 mW (1/2 W)
Qg - заряд затвора	7.5 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	52 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	6 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.05 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	12 ns
Время спада	28 ns
Высота	0.62 mm
Длина	1.5 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	NexFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	16 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	CSD25202W15
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	64 ns
Типичное время задержки при включении	15 ns
Торговая марка	Texas Instruments
Упаковка / блок	DSBGA-9
Ширина	1.5 mm
Вес, г	0.002