CSD25213W10, MOSFET P-CH NexFET Pwr MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 ֏
от 10 шт. —
385 ֏
от 100 шт. —
204 ֏
от 1000 шт. —
126 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
МОП-транзистор P-CH NexFET Pwr МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 1.6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Qg - заряд затвора | 2.2 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 67 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 6 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 850 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 520 ns |
| Время спада | 970 ns |
| Высота | 0.62 mm |
| Длина | 1 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | CSD25213W10 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 1 us |
| Типичное время задержки при включении | 510 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | DSBGA-4 |
| Ширина | 1 mm |
| Base Product Number | CSD25213 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.9nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 478pF @ 10V |
| Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 4-UFBGA, DSBGA |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 1A, 4.5V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | NexFETв„ў -> |
| Supplier Device Package | 4-DSBGA (1x1) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | -6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250ВµA |
| Brand | Texas Instruments |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 970 ns |
| Id - Continuous Drain Current | -1.6 A |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 2.2 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 47 mOhms |
| Rise Time | 520 ns |
| RoHS | Details |
| Tradename | NexFET |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 1 us |
| Typical Turn-On Delay Time | 510 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | -6 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -850 mV |
| Вес, кг | 2.84 |
Техническая документация
Datasheet CSD25213W10
pdf, 1281 КБ
Datasheet CSD25213W10
pdf, 686 КБ
