CSD86336Q3D, MOSFETs 25-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, SON 3 mm x 3 mm power block, 20 A 8-VSON-CLIP -55 to 150
![CSD86336Q3D, MOSFETs 25-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, SON 3 mm x 3 mm power block, 20 A 8-VSON-CLIP -55 to 150](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC006757197.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 850 ֏
от 10 шт. —
1 460 ֏
от 100 шт. —
1 060 ֏
от 500 шт. —
840 ֏
1 шт.
на сумму 1 850 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
Pd - рассеивание мощности | 6 W |
Qg - заряд затвора | 3.8 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.1 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 10 ns |
Время спада | 2 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | NexFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 40 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | CSD86336Q3D |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | Power MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 7 ns |
Типичное время задержки при включении | 5 ns |
Торговая марка | Texas Instruments |
Упаковка / блок | VSON-CLIP-8 |
Вес, г | 0.0995 |