CSD87312Q3E, MOSFETs Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 810 ֏
от 10 шт. —
1 410 ֏
от 100 шт. —
1 030 ֏
от 500 шт. —
820 ֏
1 шт.
на сумму 1 810 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор Dual 30V N-CH NexFET Pwr МОП-транзисторs
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 27 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Qg - заряд затвора | 6.3 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 33 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 16 ns |
| Время спада | 2.9 ns |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3.3 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Конфигурация | Dual |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 39 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | CSD87312Q3E |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 17 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.8 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка / блок | VSON-8 |
| Ширина | 3.3 mm |
| Brand | Texas Instruments |
| Configuration | Dual Common Source |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Fall Time | 2.8 ns |
| Forward Transconductance - Min | 39 S |
| Height | 1 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 27 A |
| Length | 3.3 mm |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Package / Case | VSON-8 |
| Packaging | Cut Tape |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 6.3 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 38 mOhms |
| Rise Time | 16 ns |
| RoHS | Details |
| Series | CSD87312Q3E |
| Technology | Si |
| Tradename | NexFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 17 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 7.8 ns |
| Unit Weight | 0.001101 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Width | 3.3 mm |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
csd87312q3e
pdf, 815 КБ
