CSD88539NDT, MOSFETs 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET
![Фото 1/2 CSD88539NDT, MOSFETs 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/561/DOC042561892.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/088/DOC024088837.jpg)
1 240 ֏
от 10 шт. —
970 ֏
от 100 шт. —
498 ֏
от 250 шт. —
481 ֏
1 шт.
на сумму 1 240 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 60В, 15А, 2,1Вт, SO8, NexFET™ Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | Texas Instruments |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Dual |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 250 |
Fall Time: | 4 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 11.7 A |
Manufacturer: | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package / Case: | SOIC-8 |
Pd - Power Dissipation: | 2.1 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 7.2 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 28 mOhms |
Rise Time: | 9 ns |
Series: | CSD88539ND |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | NexFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 2 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.6 V |
Вид | MOSFET |
Тип | полевой |
Вес, г | 95 |