TPS1101D, MOSFETs Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 290 ֏
от 75 шт. —
1 370 ֏
1 шт.
на сумму 2 290 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор Single P-Ch Enh-Mode МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 2.3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 791 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 90 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 15 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 15 V, 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 5.5 ns |
| Время спада | 5.5 ns |
| Высота | 1.75 mm |
| Длина | 4.9 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Размер фабричной упаковки | 75 |
| Серия | TPS1101 |
| Технология | Si |
| Тип | PMOS Switches |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.5 ns |
| Торговая марка | Texas Instruments |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
| Ширина | 3.9 mm |
| Base Product Number | TPS1101 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 15V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.25nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Manufacturer Product Page | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154"", 3.90mm Width) |
| Power Dissipation (Max) | 791mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.5A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +2V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250ВµA |
| Вес, г | 0.076 |
Техническая документация
Datasheet TPS1101D
pdf, 776 КБ
