TPS1120D, MOSFETs Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 040 ֏

от 10 шт. — 2 380 ֏

от 75 шт. — 1 790 ֏

от 300 шт. — 1 630 ֏

1 шт. на сумму 3 040 ֏

Номенклатурный номер: 8005016989

Unclassified

МОП-транзистор Dual P-Ch Enh-Mode МОП-транзистор

Id - непрерывный ток утечки	1.17 A
Pd - рассеивание мощности	840 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	180 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	15 V
Vgs - напряжение затвор-исток	15 V, 2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	10 ns
Время спада	10 ns
Высота	1.75 mm
Длина	4.9 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Минимальная рабочая температура	40 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Продукт	MOSFET Small Signal
Размер фабричной упаковки	75
Серия	TPS1120
Технология	Si
Тип	PMOS Switches
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	2 P-Channel
Типичное время задержки выключения	13 ns
Типичное время задержки при включении	4.5 ns
Торговая марка	Texas Instruments
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	SOIC-8
Ширина	3.9 mm
Вес, г	0.076