2N3134 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT 50Vcbo 35Vceo 4.0Vebo 150mA 10pF

673 шт., срок 7-9 недель
9 200 ֏
от 10 шт.7 600 ֏
от 25 шт.6 900 ֏
от 100 шт.5 900 ֏
1 шт. на сумму 9 200 ֏
Номенклатурный номер: 8005049503

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 35 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 600 mV
Configuration: Single
Emitter- Base Voltage VEBO: 4 V
Factory Pack Quantity: 200
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 600 mA
Maximum Operating Temperature: +200 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 600 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: PNP
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet
pdf, 422 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг