2N3504 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS

2N3504 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1926 шт., срок 7-9 недель
2 910 ֏
от 10 шт.2 290 ֏
от 100 шт.1 730 ֏
от 250 шт.1 490 ֏
1 шт. на сумму 2 910 ֏
Номенклатурный номер: 8005049517

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 45 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 250 mV
Configuration: Single
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2000
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 600 mA
Maximum Operating Temperature: +200 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-18-3
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 400 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: PNP
Вес, г 1

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг