2N6428 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN 60Vcbo 50Vceo 6.0Vebo 200mA 625mW

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4952 шт., срок 5-8 недель

980 ֏

от 10 шт. — 800 ֏

от 100 шт. — 530 ֏

от 500 шт. — 401 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 980 ֏

Номенклатурный номер: 8005049652

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Brand:	Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO:	60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	600 mV
Configuration:	Single
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2000
Gain Bandwidth Product fT:	700 MHz
Manufacturer:	Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current:	200 mA
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-92-3
Pd - Power Dissipation:	625 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	0.21