BC212A PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP Trans 50Vcbo 300mA Ic 625mW

BC212A PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP Trans 50Vcbo 300mA Ic 625mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1864 шт., срок 5-8 недель
800 ֏
от 10 шт.720 ֏
от 100 шт.445 ֏
от 500 шт.358 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 800 ֏
Номенклатурный номер: 8005049685

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 600 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 200 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 100
DC Current Gain hFE Max: 300
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 200 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-92-3
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 300 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: PNP
Вес, г 0.206

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 18 августа1 бесплатно
HayPost 21 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг