BC337-25 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vcbo 45 Vceo 800mA 625mW Trans

1774 шт., срок 7-9 недель
1 630 ֏
от 10 шт.1 280 ֏
от 100 шт.940 ֏
от 500 шт.740 ֏
1 шт. на сумму 1 630 ֏
Номенклатурный номер: 8005049690

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 700 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 800 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min: 160
DC Current Gain hFE Max: 400
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: 2500
Gain Bandwidth Product fT: 210 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 800 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-92
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 625 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.45

Техническая документация

Datasheet
pdf, 311 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг