BC547B TIN/LEAD, Bipolar Transistors - BJT NPN 50Vcbo 50 Vceo 800mA 625mW Trans

1832 шт., срок 7-9 недель
1 720 ֏
от 10 шт.1 320 ֏
от 100 шт.970 ֏
от 500 шт.770 ֏
1 шт. на сумму 1 720 ֏
Номенклатурный номер: 8005049694

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 600 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 100 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min: 200
DC Current Gain hFE Max: 450
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: 2000
Gain Bandwidth Product fT: 300 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 100 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-92
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 500 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.21

Техническая документация

Datasheet
pdf, 398 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг