BCY58-X PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1451 шт., срок 5-8 недель

2 670 ֏

от 10 шт. — 2 090 ֏

от 100 шт. — 1 590 ֏

от 250 шт. — 1 370 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 670 ֏

Номенклатурный номер: 8005049704

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Brand:	Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO:	32 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	32 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	700 mV
Configuration:	Single
Emitter- Base Voltage VEBO:	7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	2000
Gain Bandwidth Product fT:	150 MHz
Manufacturer:	Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current:	100 mA
Maximum Operating Temperature:	+200 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-18-3
Packaging:	Bulk
Pd - Power Dissipation:	340 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	1