CMPT4401 TR PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN GP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
54493 шт., срок 7-9 недель
580 ֏
от 10 шт. —
484 ֏
от 100 шт. —
308 ֏
от 500 шт. —
228 ֏
1 шт.
на сумму 580 ֏
Номенклатурный номер: 8005049987
Бренд: Central Semiconductor Corp
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Central Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 750 mV |
| Configuration: | Single |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 40 at 500 mA, 2 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 250 MHz |
| Manufacturer: | Central Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current: | 600 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23 |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 324 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
