CMPTA56 TR PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP Med Power

CMPTA56 TR PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP Med Power
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7747 шт., срок 7-9 недель
344 ֏
от 10 шт.273 ֏
от 100 шт.181 ֏
от 1000 шт.139 ֏
1 шт. на сумму 344 ֏
Номенклатурный номер: 8005050006

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 250 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 450 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 50 at 10 mA, 1 V, 50 at 100 mA, 1 V
DC Current Gain hFE Max: 50 at 10 mA, 1 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 50 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 500 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-23
Pd - Power Dissipation: 350 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 322 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг