CMUT2222A TR PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN

CMUT2222A TR PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3302 шт., срок 7-9 недель
620 ֏
от 10 шт.580 ֏
от 100 шт.405 ֏
от 500 шт.356 ֏
1 шт. на сумму 620 ֏
Номенклатурный номер: 8005050100

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 75 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 600 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 50
DC Current Gain hFE Max: 300
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Gain Bandwidth Product fT: 300 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 600 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOT-523
Pd - Power Dissipation: 250 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: CMUT2222
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Tradename: UltraMini
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 413 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг