GES6016 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN 70Vcbo 70Vces 60Vces 5.0Vebo 625mW
458 шт., срок 7-9 недель
1 370 ֏
от 10 шт. —
1 060 ֏
от 100 шт. —
770 ֏
1 шт.
на сумму 1 370 ֏
Номенклатурный номер: 8005050173
Бренд: Central Semiconductor Corp
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
Brand: | Central Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO: | 70 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
Configuration: | Single |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: | 2500 |
Gain Bandwidth Product fT: | 425 MHz |
Manufacturer: | Central Semiconductor |
Maximum DC Collector Current: | 800 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Packaging: | Bulk |
Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 124 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг