MPS650 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Cur

Фото 1/2 MPS650 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Hi-Cur
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
7545 шт., срок 7-9 недель
580 ֏
от 10 шт.427 ֏
от 100 шт.273 ֏
от 1000 шт.155 ֏
1 шт. на сумму 580 ֏
Номенклатурный номер: 8005050199

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 2 A
DC Collector/Base Gain hfe Min: 75
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Gain Bandwidth Product fT: 75 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 2 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-92
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 625 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.45

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1008 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг