PN5133 TIN/LEAD, Bipolar Transistors - BJT NPN LOW NOISE 20V

727 шт., срок 7-9 недель
710 ֏
от 10 шт.620 ֏
от 100 шт.405 ֏
от 500 шт.307 ֏
1 шт. на сумму 710 ֏
Номенклатурный номер: 8005050244

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 20 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 18 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 400 mV
Configuration: Single
Emitter- Base Voltage VEBO: 3 V
Factory Pack Quantity: 2500
Gain Bandwidth Product fT: 40 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 10 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 625 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.21

Техническая документация

Datasheet
pdf, 169 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг