TIP29B TIN/LEAD, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purp Power

TIP29B TIN/LEAD, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Purp Power
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1300 шт., срок 7-9 недель
1 940 ֏
от 10 шт.1 500 ֏
от 100 шт.1 100 ֏
от 500 шт.880 ֏
1 шт. на сумму 1 940 ֏
Номенклатурный номер: 8005050251

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 80 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 700 mV
Configuration: Single
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 50
Gain Bandwidth Product fT: 3 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 1 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 30 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 6

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 11 сентября1 бесплатно
HayPost 15 сентября1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг