2DA1213YQ-13, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 2.5K

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

620 ֏

от 10 шт. — 530 ֏

от 100 шт. — 344 ֏

от 500 шт. — 253 ֏

1 шт. на сумму 620 ֏

Номенклатурный номер: 8005056064

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 2.5K

Pd - рассеивание мощности	1 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120 at - 500 mA, - 2 V
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	240 at - 500 mA, - 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	2.5 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	2 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	160 MHz
Размер фабричной упаковки	2500
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-89-3
Вес, г	0.052