2DA1774QLP-7B, Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transist X1-DFN1006-3,10K
![2DA1774QLP-7B, Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transist X1-DFN1006-3,10K](https://static.chipdip.ru/lib/656/DOC006656050.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
530 ֏
от 10 шт. —
392 ֏
от 100 шт. —
229 ֏
от 1000 шт. —
114 ֏
1 шт.
на сумму 530 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT SS Mid-Perf Transist X1-DFN1006-3,10K
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Производитель | Diodes Incorporated |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Серия | 2DA17 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | DFN1006-3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet 2DA1774QLP-7B
pdf, 316 КБ