2DB1132R-13, Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

423 ֏

от 10 шт. — 326 ֏

от 100 шт. — 172 ֏

от 1000 шт. — 131 ֏

1 шт. на сумму 423 ֏

Номенклатурный номер: 8005056073

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT 1000W -32Vceo

Pd - рассеивание мощности	1000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.5 mm
Длина	4.5 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	180 at - 100 mA, - 3 V
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	32 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	125 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	190 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	2DB11
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-89-3
Ширина	2.48 mm
Вес, г	0.052