2DB1184Q-13, Bipolar Transistors - BJT PNP 2.5K BIPOLAR

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

800 ֏

от 10 шт. — 660 ֏

от 100 шт. — 418 ֏

от 500 шт. — 316 ֏

1 шт. на сумму 800 ֏

Номенклатурный номер: 8005056075

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT PNP 2.5K BIPOLAR

Pd - рассеивание мощности	15000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	2.4 mm (Max)
Длина	6.8 mm (Max)
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	120
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	110 MHz
Производитель	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	2DB11
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel
Упаковка / блок	DPAK-3
Ширина	6.2 mm (Max)
Вес, г	0.4