ADTC114ECAQ-7, Digital Transistors NPN Pre-biased Small Signal Transistor

ADTC114ECAQ-7, Digital Transistors NPN Pre-biased Small Signal Transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
370 ֏
от 10 шт.260 ֏
от 100 шт.102 ֏
от 1000 шт.68 ֏
1 шт. на сумму 370 ֏
Номенклатурный номер: 8005056492
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN Pre-biased Small Signal Transistor

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 310 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Выходное напряжение 0.1 V
Канальный режим Enhancement
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 30
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальная рабочая частота 250 MHz
Максимальный постоянный ток коллектора 100 mA
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 10 kOhms
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-23-3
Collector Current (Ic) 100mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 50V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 30@5mA, 5V
Power Dissipation (Pd) 310mW
Вес, г 0.008

Техническая документация

Datasheet
pdf, 323 КБ