BC847BFAQ-7B, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

580 ֏

от 10 шт. — 405 ֏

от 100 шт. — 216 ֏

от 1000 шт. — 104 ֏

1 шт. на сумму 580 ֏

Номенклатурный номер: 8005058129

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor

Pd - рассеивание мощности	435 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	470
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	122 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	170 MHz
Размер фабричной упаковки	10000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	X2-DFN0806-3
Вес, г	8