BC847BT-7-F, Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
282 ֏
от 10 шт. —
163 ֏
от 100 шт. —
62 ֏
от 1000 шт. —
40 ֏
1 шт.
на сумму 282 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 0,1А, 150мВт, SOT523 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.75 mm |
| Длина | 1.6 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 600 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BC847B |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-523-3 |
| Ширина | 0.8 mm |
| Base Product Number | BC847 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SOT-523 |
| Power - Max | 150mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-523 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 45V |
| Maximum DC Collector Current | 100mA |
| Pd - Power Dissipation | 150mW |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-523(SC-89) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 0.002 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 301 КБ
Datasheet
pdf, 310 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BC847AT-7-F
pdf, 159 КБ
