BC847CDLP-7, Bipolar Transistors - BJT 100mA 45V
![Фото 1/3 BC847CDLP-7, Bipolar Transistors - BJT 100mA 45V](https://static.chipdip.ru/lib/974/DOC006974708.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/170/DOC004170662.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/938/DOC023938995.jpg)
423 ֏
от 10 шт. —
317 ֏
от 100 шт. —
168 ֏
от 1000 шт. —
113 ֏
1 шт.
на сумму 423 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 100mA 45V
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.35 mm (Max) |
Длина | 1.3 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 |
Конфигурация | Dual |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 800 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 900 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BC847C |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | DFN1310H4-6 |
Ширина | 1 mm |
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.21.00.75 |
Type | NPN |
Product Category | Bipolar Small Signal |
Configuration | Dual |
Number of Elements per Chip | 2 |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 50 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 45 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA |
Maximum DC Collector Current (A) | 0.1 |
Minimum DC Current Gain | 420@2mA@5V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 350 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Min) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | No |
Standard Package Name | DFN |
Pin Count | 6 |
Supplier Package | DFN |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 0.35(Max) |
Package Length | 1.3 |
Package Width | 1 |
PCB changed | 6 |
Lead Shape | No Lead |
Base Product Number | BC847 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 100MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | 6-XFDFN Exposed Pad |
Power - Max | 350mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | X2-DFN1310-6 (Type B) |
Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Collector Emitter Voltage Max NPN | 45В |
Collector Emitter Voltage Max PNP | - |
Continuous Collector Current NPN | 100мА |
Continuous Collector Current PNP | - |
DC Current Gain hFE Min NPN | 420hFE |
DC Current Gain hFE Min PNP | - |
DC Ток Коллектора | 100мА |
DC Усиление Тока hFE | 420hFE |
Power Dissipation NPN | 350мВт |
Power Dissipation PNP | - |
Transition Frequency NPN | 100МГц |
Transition Frequency PNP | - |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 45В |
Рассеиваемая Мощность | 350мВт |
Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
Стиль Корпуса Транзистора | X2-DFN1310 |
Вес, г | 1 |