BC857BLP-7B, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
357 ֏
от 10 шт. —
251 ֏
от 100 шт. —
102 ֏
от 1000 шт. —
87 ֏
1 шт.
на сумму 357 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 250 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | -100 mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 220 at-2 mA, -5 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DFN1006-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 400 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | BC857B |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Collector Emitter Voltage Max | 45В |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| DC Current Gain hFE Min | 220hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 220hFE |
| Power Dissipation | 1Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | BC857 Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Стиль Корпуса Транзистора | X1-DFN1006 |
| Частота Перехода ft | 100МГц |
| Вес, г | 9 |
Техническая документация
Datasheet BC857BLP-7
pdf, 380 КБ
