BC857BTQ-7, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

335 ֏

от 10 шт. — 229 ֏

от 100 шт. — 106 ֏

от 1000 шт. — 62 ֏

1 шт. на сумму 335 ֏

Номенклатурный номер: 8005058155

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor

Pd - рассеивание мощности	350 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	475
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	250 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	SOT-523-3
Вес, г	6