BC858B-7-F, Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
256 ֏
от 10 шт. —
176 ֏
от 100 шт. —
80 ֏
от 1000 шт. —
50 ֏
1 шт.
на сумму 256 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 30В, 0,1А, 350мВт, SOT23 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 3.05 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 at -2 mA, - 5 V |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 650 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BC858 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | -30 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -30 V |
| Maximum DC Collector Current | -100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 350 mW |
| Minimum DC Current Gain | 220 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 0.008 |
