DCP68-13, Bipolar Transistors - BJT 1W 20V

Фото 1/2 DCP68-13, Bipolar Transistors - BJT 1W 20V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
530 ֏
от 10 шт.436 ֏
от 100 шт.308 ֏
от 500 шт.228 ֏
1 шт. на сумму 530 ֏
Номенклатурный номер: 8005058566
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 1W 20V

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 1 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.6 mm
Длина 6.5 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 25
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 250
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 200 MHz
Размер фабричной упаковки 2500
Серия DCP68
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.5 mm
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series *
Вес, г 0.28

Техническая документация

Datasheet DCP68-13
pdf, 378 КБ
Datasheet DCP68-13
pdf, 154 КБ