DCX114EU-7-F, Digital Transistors COMP NPN/PNP 200mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
256 ֏
от 10 шт. —
176 ֏
от 100 шт. —
75 ֏
от 1000 шт. —
66 ֏
1 шт.
на сумму 256 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Описание Транзистор NPN / PNP, биполярный, BRT, комплементарная пара, 50В
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW (1/5 W) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
| Конфигурация | Dual |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 600 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN, PNP |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | DCX114 |
| Тип | Complementary NPN/PNP Pre-Biased Small Signal SOT- |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Base Product Number | DCX114 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Power - Max | 200mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Resistor - Base (R1) | 10kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10kOhms |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-363 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500ВµA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Вес, г | 0.006 |
