DCX114TU-7-F, Digital Transistors 200MW 4.7K
![DCX114TU-7-F, Digital Transistors 200MW 4.7K](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514327.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
620 ֏
от 10 шт. —
484 ֏
от 100 шт. —
264 ֏
от 1000 шт. —
170 ֏
1 шт.
на сумму 620 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 4.7K
Технические параметры
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 2.2 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Количество каналов | 2 Channel |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
Конфигурация | Dual |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN, PNP |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | DCX114 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-363-6 |
Ширина | 1.35 mm |
Вес, г | 0.006 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 714 КБ