DDC114EH-7, Digital Transistors 150MW 10K
![DDC114EH-7, Digital Transistors 150MW 10K](https://static.chipdip.ru/lib/229/DOC006229446.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
484 ֏
от 10 шт. —
304 ֏
от 100 шт. —
119 ֏
от 1000 шт. —
69 ֏
1 шт.
на сумму 484 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max NPN | 50В |
Collector Emitter Voltage Max PNP | - |
Continuous Collector Current | 100мА |
DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
Power Dissipation | 150мВт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 6 ??????? |
Корпус РЧ Транзистора | SOT-563 |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50В |
Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 100мА |
Полярность Транзистора | Двойной NPN |
Полярность Цифрового Транзистора | ??????? NPN |
Резистор База-эмиттер R2 | 10кОм |
Резистор На входе Базы R1 | 10кОм |
Соотношение Сопротивления, R1 / R2 | - |
Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-563 |
Вес, г | 0.003 |