DDC115EU-7-F, Digital Transistors 100kOhm NPN Dual Trans 200mW

DDC115EU-7-F, Digital Transistors 100kOhm NPN Dual Trans 200mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
484 ֏
от 10 шт.383 ֏
от 100 шт.247 ֏
от 1000 шт.131 ֏
1 шт. на сумму 484 ֏
Номенклатурный номер: 8005058597
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100kOhm NPN Dual Trans 200mW

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Выходное напряжение 100 mV
Канальный режим Enhancement
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DDC115
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 100 kOhms, 100 kOhms
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-363-6
Вес, г 0.006

Техническая документация

Datasheet
pdf, 456 КБ