DDC115EU-7-F, Digital Transistors 100kOhm NPN Dual Trans 200mW
![DDC115EU-7-F, Digital Transistors 100kOhm NPN Dual Trans 200mW](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515893.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
484 ֏
от 10 шт. —
383 ֏
от 100 шт. —
247 ֏
от 1000 шт. —
131 ֏
1 шт.
на сумму 484 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100kOhm NPN Dual Trans 200mW
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Выходное напряжение | 100 mV |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 100 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | DDC115 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 100 kOhms, 100 kOhms |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-363-6 |
Вес, г | 0.006 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 456 КБ