DDTC115EE-7-F, Digital Transistors 150MW 100K100K

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

484 ֏

от 100 шт. — 273 ֏

от 1000 шт. — 116 ֏

1 шт. на сумму 484 ֏

Номенклатурный номер: 8005058649

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 100K100K

Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.75 mm
Длина	1.6 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	82
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	82
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Непрерывный коллекторный ток	20 mA
Пиковый постоянный ток коллектора	20 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	DDTC115
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление	100 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора	1
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-523-3
Ширина	0.8 mm
Вес, г	0.002