DDTC143XE-7-F, Digital Transistors 150MW 4.7K 10K

DDTC143XE-7-F, Digital Transistors 150MW 4.7K 10K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
410 ֏
от 10 шт.273 ֏
от 100 шт.115 ֏
от 1000 шт.75 ֏
1 шт. на сумму 410 ֏
Номенклатурный номер: 8005058669
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 150MW 4.7K 10K

Технические параметры

Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.75 mm
Длина 1.6 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 30
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Непрерывный коллекторный ток 100 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 100 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DDTC143
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 4.7 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 0.47
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-523-3
Ширина 0.8 mm
Base Product Number DDTC143 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 250MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SOT-523
Power - Max 150mW
REACH Status REACH Unaffected
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-523
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500ВµA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Вес, г 0.002

Техническая документация

Datasheet
pdf, 182 КБ
Datasheet
pdf, 150 КБ