DNBT8105-7, Bipolar Transistors - BJT 1A
![Фото 1/6 DNBT8105-7, Bipolar Transistors - BJT 1A](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514323.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC021413283.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/944/DOC041944459.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/792/DOC012792583.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/056/DOC030056779.jpg)
295 ֏
от 10 шт. —
207 ֏
от 100 шт. —
80 ֏
от 1000 шт. —
52 ֏
1 шт.
на сумму 295 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 1A
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 2.9 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 at 2 A, 5 V |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | DNBT8 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.3 mm |
Base Product Number | DNBT8105 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 150MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power - Max | 600mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 100mA, 1A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Brand | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 500 mV |
Configuration | Single |
DC Collector/Base Gain Hfe Min | 30 at 2 A, 5 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gain Bandwidth Product FT | 150 MHz |
Manufacturer | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current | 2 A |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Packaging | Cut Tape or Reel |
Pd - Power Dissipation | 300 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
Series | DNBT8 |
Subcategory | Transistors |
Transistor Polarity | NPN |
Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 60 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Power Dissipation | 600 mW |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Case | SOT23 |
Collector current | 1A |
Collector-emitter voltage | 60V |
Current gain | 100…300 |
Frequency | 150MHz |
Kind of package | reel, tape |
Mounting | SMD |
Polarisation | bipolar |
Power dissipation | 0.6W |
Type of transistor | NPN |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 86 КБ
Datasheet DNBT8105-7
pdf, 85 КБ
Datasheet DNBT8105-7
pdf, 85 КБ