DSS3515M-7B, Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

620 ֏

от 10 шт. — 418 ֏

от 100 шт. — 181 ֏

от 1000 шт. — 117 ֏

1 шт. на сумму 620 ֏

Номенклатурный номер: 8005059689

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K

Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	90 at - 500 mA, - 2 V
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	15 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	15 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	250 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	500 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	340 MHz
Размер фабричной упаковки	10000
Серия	DSS35
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	DFN1006-3
Вес, г	1