DSS4140U-7, Bipolar Transistors - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
от 10 шт. —
388 ֏
от 100 шт. —
150 ֏
от 1000 шт. —
110 ֏
1 шт.
на сумму 580 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 400 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 2.15 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 1 A, 5 V |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 1 mA at 5 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | DSS41 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Ширина | 1.3 mm |
Maximum Collector Base Voltage | 40 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
Maximum DC Collector Current | 1 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 400 mW |
Minimum DC Current Gain | 300 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-323(SC-70) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.005 |