DSS4140V-7, Bipolar Transistors - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

580 ֏

от 10 шт. — 414 ֏

от 100 шт. — 220 ֏

от 1000 шт. — 106 ֏

1 шт. на сумму 580 ֏

Номенклатурный номер: 8005059692

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT LOW VCE(SAT) NPN SMT

Pd - рассеивание мощности	600 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.6 mm
Длина	1.6 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	300 at 1 mA, 5 V, 300 at 500 mA, 5 V, 200 at 1 A
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300 at 1 mA, 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	150 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	DSS41
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-563-6
Ширина	1.2 mm
Вес, г	0.003