DSS4160FDB-7, Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 ֏
от 10 шт. —
660 ֏
от 100 шт. —
427 ֏
от 500 шт. —
322 ֏
1 шт.
на сумму 800 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT SS Low Sat Transistor
Технические параметры
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Подкатегория | Transistors |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Вес, г | 19.5 |
Техническая документация
Datasheet DSS4160FDB-7
pdf, 477 КБ
