DSS5220T-7, Bipolar Transistors - BJT 20V PNP Low Sat Transistor

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

530 ֏

от 10 шт. — 396 ֏

от 100 шт. — 234 ֏

1 шт. на сумму 530 ֏

Номенклатурный номер: 8005059703

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT 20V PNP Low Sat Transistor

Pd - рассеивание мощности	1.2 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	150
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	3 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	20 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	225 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Непрерывный коллекторный ток	2 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-23-3
Вес, г	0.008