DSS5540X-13, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANS PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
620 ֏
от 10 шт. —
530 ֏
от 100 шт. —
326 ֏
от 500 шт. —
243 ֏
1 шт.
на сумму 620 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор PNP, биполярный, 40В, 4А, 900мВт, SOT89 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 165 mV |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current: | -4 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 250 at-500 mA, -2 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 60 MHz |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-89-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 900 mW |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series: | DSS55 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 459 КБ
