DXT651-13, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR NPN
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
от 10 шт. —
484 ֏
от 100 шт. —
344 ֏
от 500 шт. —
267 ֏
1 шт.
на сумму 580 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT BIPOLAR NPN
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.5 mm |
| Длина | 4.5 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | DXT651 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-89-3 |
| Ширина | 2.5 mm |
| Base Product Number | DXT651 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 2V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| HTSUS | 8541.29.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-243AA |
| Power - Max | 1W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | SOT-89-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 300mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V |
| Configuration | Single |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Gain Bandwidth Product FT | 200 MHz |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current | 3 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 1000 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | DXT651 |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | NPN |
| Вес, г | 0.052 |
Техническая документация
Datasheet DXT651-13
pdf, 185 КБ
Datasheet DXT651-13
pdf, 186 КБ
