DXT696BK-13, Bipolar Transistors - BJT 180V NPN Med Pwr 200mV 3.9W 70MHz

Фото 1/2 DXT696BK-13, Bipolar Transistors - BJT 180V NPN Med Pwr 200mV 3.9W 70MHz
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
800 ֏
от 10 шт.660 ֏
от 100 шт.427 ֏
от 500 шт.322 ֏
1 шт. на сумму 800 ֏
Номенклатурный номер: 8005059740
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 180V NPN Med Pwr 200mV 3.9W 70MHz

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 3.9 W
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 500 at 100 mA, 5 V
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 180 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 180 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Непрерывный коллекторный ток 500 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 70 MHz
Размер фабричной упаковки 2500
Серия DXT696
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок TO-252-3
Collector Emitter Voltage Max 180В
Continuous Collector Current 500мА
DC Current Gain hFE Min 150hFE
DC Усиление Тока hFE 150hFE
Power Dissipation 3.9Вт
Квалификация -
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции DXT Series
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Частота Перехода ft 70МГц
Вес, г 0.34

Техническая документация

Datasheet DXT696BK-13
pdf, 451 КБ